IT之家 4 月 3 日音信，英特尔近日举办了一场代工业务收罗研讨会。除了展示代工部门独处贪图在财务上带来的变化外，该研讨会还共享了英特尔代工异日的时候发展门路图。

凭据制程工艺门路图，英特尔方针到 18A 节点再行成为一流代工场，并在 14A 节点建树进取地位。

在功耗方面，现在已有的 Intel 7 节点过期于竞争敌手，英特尔贪图于近期的 Intel 3 节点与行业进取企业（台积电）特殊，同期在异日的 18A 节点罢了略好于竞争敌手的水平，并于 14A 节点证据上风。

而在密度方面，现在的 Intel 7 节点存在彰着过错，英特尔但愿通过 Intel 3 节点平缓差距，并在 18A 节点追上竞争者，而在 14A 节点上可取得较小的密度上风。

Intel 7 节点的晶圆老本彰着高于业界水平，英特尔但愿通过从 Intel 3 到 14A 的演进，逐步罢了较低的晶圆老本。

同期，异日数年将见证英特尔制程方针市集的膨大，到 14A 节点英特尔将可对外代工迁徙端产物。

英特尔将慢慢弥补在传统 IDM 方式下对外部 EDA 撑捏的欠缺，将遐想肤浅度进步到业界平均水平。

此外英特尔还将进一步扩大在 2.5D / 3D 等先进封装时候上的上风。

行动面向 AI 时间的系统代工场，英特尔暗示将通过多个层面的鼎新让摩尔定律络续前进。

互连方面，除了适用于 AI 的网卡和芯粒 UCIe 互连，英特尔还将发力硅光子学，并丰富在 PCIe、SerDes 限制的时候储备。

英特尔现在可通过浸没式液冷冷却 1000W TDP 的芯片，方针到 2030 年罢了对 2000W 芯片的冷却；

在先进内存方朝上，英特尔现在可通过 EMIB 归拢 8 个 HBM 堆栈，异日该材干将进步至 12 个堆栈乃至更多，同期英特尔也在探索更新的内存处罚有斟酌。

关于 Foveros 3D Direct 高档封装，英特尔方针到 2027 年傍边罢了 4 微米的归拢错误。

英特尔这次还给出了更属见解玻璃基板应用期间，这项时候的诈欺有望于 2027 年伸开，稍晚于IT之家此前报说念中三星电机缔造的 2026 年方针。

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